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SI4569DY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4569DY-T1-GE3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：40V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.6A，7.9A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：855pF @ 20V 功率 - 最大：3.1W，3.2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 固定式LQG15HN39NJ02D PMIC - 监控APX809-29SRG-7 螺钉和螺母驱动器 FSD1V LVDT (绾挎&GCD-121-500 LVDT (绾挎&GCD-121-250 LVDT (绾挎&GCD-121-125 LVDT (绾挎&GCD-121-050 螺线形绕线，伸缩套CXN0.25SV 磁性 - 霍尔效应A1373EKB-T 单二极管/齐纳BZX84C30-7-F |
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